功率半導體動態特性測量系統
DETAIL
功率半導體動態特性測量儀可用於研究和優化 SiC 器件的動態開關行為。此一模組化系統可用於測試採用雙脈衝測試的裸芯片、分立封裝和模塊。高壓電源、安全系統、加熱器、傳感器、直流鏈路、夾具、柵極驅動器、控制器和負載電感器等所有集成功能都經過優化，以準確測量開關波形。換向單元的寄生成分非常低，並且通過建模可以很簡單地定義。這些寄生成分可以隨意更改以匹配目標應用的條件。用於數據採集和數據分析的軟體可用於處理大量測量。 Eon、Eoff、Err、Irr、di/dt、du/dt 等參數以直流匯流電壓、電流、溫度和柵極驅動器參數的函數形式呈現。
特點
雙脈衝測試 - 用於測試SiC二極管和FET
高電壓裝置 - 1.2 kV - 1.7 kV - 3.3 kV - 4.5 kV及以上
乾淨的開關波形 - 極低且定義明確的寄生效應
精確 - 包括分析和補償程序
專為未封裝，緊湊型封裝，模組而設計 - 裸片，TO220，TO247，TO254，任何SiC模組
模組化和先進設計 - 用於新包裝和模塊的可更換治具
高溫測試 - ·內建DUT的加熱器–可調節達250°C
快速 - ·快速部署並縮短測量週期
標準和特定應用 - 集成或客製閘極驅動器; 可調寄生效應
高性能係統 - ·工業級設計製造
安全–符合IEC61010安全標準