突波電流測試設備
DETAIL
該系統有助於在極端測試條件下測試碳化矽 (SiC) 功率半導體。 強大的電子設備會產生數百安培的半正弦波形浪湧電流。 專用機械系統以高精度定位被測設備 (DUT)，而驅動機構的操作員移動很簡單。 2 µs 的短脈衝長度確保了測試期間穩定的結溫，可以安全地施加遠超過標稱電流 10 倍的電流。 該測試設備能夠產生 400 A 的電流，甚至可以與面積小於 1 mm2 的裸芯片進行電接觸。 模塊化系統方法，具有可更換的插件和芯片接口，使測試設備能夠適應未來的新封裝樣式和芯片佈局。